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低功耗LPSRAM
低功耗靜態存儲器（LOW POWER SRAM） 低功耗SRAM芯片作為靜態隨機存儲器的一種類別； 特征為功耗低，速度快，一般容量在1/4/8/1616Mbit： 屬于易失性存儲芯片，掉電后數據會產生丟失： 主要應用于內置電池，并對功耗非常敏感的產品，如POS機，手持設備等：
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Serial RAM
串行存儲器芯片（Serial RAM） 串行Serial RAM為了滿足更小管腳的設計跟更小PCB板尺寸而衍生出來的一款存儲器; 存儲器在高速性能并非最重要因素的其它存儲器（DRAM、閃存等）中，串行接口已經取代了并行接口; 在SRAM市場中一直處于小眾地位，在空間非常有限的特定應用中，它們一直是低功耗、小尺寸替代方案;
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異步快速Async Fast
異步快速存儲器芯片（Async Fast SRAM） 一般來說單片機MCU會采用異步靜態歲級存儲器， 另外有些以并行方式接口的模擬/數字I/O器件，如A/D、D/A、開入/開出等，也會采用異步靜態隨機存儲器， 靜態隨機存儲器比DRAM快些，并依賴于CPU的時鐘， 存取速度有12ns、15ns和18ns三種，值越小，表示存取數據的速度越快。
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同步高速Sync High Speed
同步高速存儲器芯片（Sync High Speed SRAM） 同步高速靜態存儲器是指Memory工作需要步時鐘， 內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準；隨機是指數據不是線性依次存儲， 而是由指定地址進行數據讀寫。 對于SSRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關。 這一點與異步SRAM不同，異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數 據輸入和輸出都由地址的變化控制。
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國產SRAM芯片
國產SRAM芯片 XRAM是一款基于TLC DRAM（三態 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM） 專利技術而成的新型X型隨機存儲器，可用于替換傳統DRAM和SRAM， 相對比DRAM產品在數據讀取速率約快10倍以上， 延時速度10ns,可提供千兆級容量存儲， 可隨時訪問速度不需要刷新機制，在性能上接近于SRAM產品， 并提供SRAM接口便于應用設計。
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