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替代型存儲器崛起
CPU供應商預計將使其處理器的DDR通道數從12個增加到16個通道，因此可能使主存儲器的容量從現有的64GB提高到128GB。
2017-11-29
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存儲器世代即將來到DDR5 (第五代雙倍數據率)的時代
存儲器頻寬與密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5存儲器介面芯片研發成功，預計最快在2019年量產，將為服務器的主存儲器帶來更高效能與功率管理…
2017-11-29
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三星斥巨資 欲抑制中國存儲器發展
IC Insights估計，今年三星260億美元的半導體支出將分成幾部分： 3D NAND閃存：140億美元（包括在平澤工廠的產能大幅增長） DRAM：70億美元（用于流程遷移和彌補由于遷移造成的容量損失的額外
2017-11-28
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三星斥巨資投入至半導體行業
據悉，今年三星豪擲260億美元至半導體行業，被稱為半導體史上最大的投資額度。三星的巨額投資將會影響該行業未來的格局，或有可能影響中國儲存器廠商的發展。
2017-11-28
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NAND FLASH供貨緩解或將在2018年第二季度
由于技術轉換，2D NAND產量縮小，以及3D NAND爬坡使得NAND Flash貨源不足，價格瘋漲。消費類閃存產品每GB的單價從2016年0 12美元上漲到0 3美元以上，主流的eMMC產品上漲幅度超過60%，SSD產品超過80%。J
2017-11-27
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美光64層3D NAND后將超過72層數
近兩年，幾大存儲芯片廠商皆在由2D NAND轉向3D NAND，美光的3D NAND Flash在2016年底量產，第二代64層3D NAND于2017年進入量產，由32層32GB開始做起，現在已經發展到64層64GB。美光副總裁Jonathan Shaw表示，
2017-11-27
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